SiC和GaN作为第三代半导体材料，在电动汽车、快充等领域展开激烈竞争。
材料特性对比
| 特性 | SiC | GaN |
|---|---|---|
| 耐压 | 极高（1200V+） | 中高（650V） |
| 开关频率 | 高 | 极高 |
| 成本 | 较高 | 较低 |
| 应用 | 电动车、工业 | 快充、消费电子 |
市场格局
- Wolfspeed：SiC龙头，产能持续扩张
- 英飞凌：SiC和GaN双线布局
- 纳微半导体：GaN快充市场领先者
- 国产厂商：基本半导体、泰科天润等加速追赶
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SiC和GaN作为第三代半导体材料，在电动汽车、快充等领域展开激烈竞争。
| 特性 | SiC | GaN |
|---|---|---|
| 耐压 | 极高（1200V+） | 中高（650V） |
| 开关频率 | 高 | 极高 |
| 成本 | 较高 | 较低 |
| 应用 | 电动车、工业 | 快充、消费电子 |
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