上海微电子等国产光刻机厂商在多重曝光技术上取得突破，28nm光刻机进入验证阶段。技术突破通过多重曝光技术（Multi-Patterning），国产光刻机可实现28nm制程所需的线宽精度。产业链协同挑战良率仍需提升可靠性待验证先进制程仍需时日
