上海微电子等国产光刻机厂商在多重曝光技术上取得突破，28nm光刻机进入验证阶段。
技术突破
通过多重曝光技术（Multi-Patterning），国产光刻机可实现28nm制程所需的线宽精度。
产业链协同
| 环节 | 厂商 | 进展 |
|---|---|---|
| 光源 | 科益虹源 | 193nm ArF光源已量产 |
| 镜头 | 国望光学 | 物镜系统完成验证 |
| 双工件台 | 华卓精科 | 已交付多台 |
挑战
- 良率仍需提升
- 可靠性待验证
- 先进制程仍需时日
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上海微电子等国产光刻机厂商在多重曝光技术上取得突破，28nm光刻机进入验证阶段。
通过多重曝光技术（Multi-Patterning），国产光刻机可实现28nm制程所需的线宽精度。
| 环节 | 厂商 | 进展 |
|---|---|---|
| 光源 | 科益虹源 | 193nm ArF光源已量产 |
| 镜头 | 国望光学 | 物镜系统完成验证 |
| 双工件台 | 华卓精科 | 已交付多台 |
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