3D堆叠DRAM技术通过垂直堆叠存储单元，大幅提升容量和带宽，成为AI芯片的关键配套。为什么需要3D堆叠？传统平面DRAM面临物理极限，3D堆叠可突破密度瓶颈，同时缩短数据路径提升性能。主要技术**TSV（硅通孔）**：垂直互连的关键技术**混合键合**：无凸点直接键合，间距更小**晶圆减薄**：将晶圆减薄至50μm以下市场格局
