3D堆叠DRAM技术通过垂直堆叠存储单元，大幅提升容量和带宽，成为AI芯片的关键配套。
为什么需要3D堆叠？
传统平面DRAM面临物理极限，3D堆叠可突破密度瓶颈，同时缩短数据路径提升性能。
主要技术
- TSV（硅通孔）：垂直互连的关键技术
- 混合键合：无凸点直接键合，间距更小
- 晶圆减薄：将晶圆减薄至50μm以下
市场格局
| 厂商 | 技术 | 产品 |
|---|---|---|
| 三星 | HBM3 | AI训练芯片配套 |
| SK海力士 | HBM3e | 英伟达H200 |
| 美光 | HBM3X | 下一代产品 |
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