碳纳米管(CNT)作为硅的潜在替代材料,在性能、功耗上展现巨大潜力,但仍面临量产挑战。
碳纳米管优势
- 电子迁移率高于硅10倍
- 可制备更小的晶体管
- 具有更好的导热性
- 可实现柔性电子
技术挑战
- 材料纯度:金属性CNT会短路器件
- 阵列排列:需要整齐排列半导体性CNT
- 接触电阻:金属-半导体接触电阻高
- 工艺兼容性:与传统CMOS工艺不兼容
产业进展
- MIT已展示碳纳米管RISC-V处理器
- 台积电、英特尔等都在研发相关技术
- 预计2030年后可能进入量产
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碳纳米管(CNT)作为硅的潜在替代材料,在性能、功耗上展现巨大潜力,但仍面临量产挑战。
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