碳纳米管(CNT)作为硅的潜在替代材料,在性能、功耗上展现巨大潜力,但仍面临量产挑战。碳纳米管优势电子迁移率高于硅10倍可制备更小的晶体管具有更好的导热性可实现柔性电子技术挑战材料纯度:金属性CNT会短路器件阵列排列:需要整齐排列半导体性CNT接触电阻:金属-半导体接触电阻高工艺兼容性:与传统CMOS工艺不兼容产业进展MIT已展示碳纳米管RISC-V处理器台积电、英特尔等都在研发相关技术预计2030年后可能进入量产